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    EEPROM

    基于相變材料的2兆位電擦除可編程只讀相變存儲器(EEPROM)


    產品概況和性能參數介紹:

    ---采用先進的40納米CMOS工藝制程

    ---芯片尺寸1.96 mm2

    ---數據存儲前無需進行擦除動作

    ---低功耗,工作電壓1.8V-3.6V,靜態工作電流1uA

    ---SPI接口,最大工作頻率30MHz

    ---單頁(256字節)寫入時間小于2.5ms

     

    產品可靠性參數介紹:

    ---產品耐擦寫次數大于10^7次

    ---強大的抗輻射性能

    ---25℃條件下數據保存時間可達100年

    ---工作溫度-40℃—+85℃

    ---2kV ESD防靜電保護能力




    產品詳情

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